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力晶合肥12寸晶圓廠正式啟用，大陸內(nèi)存大軍再掀戰(zhàn)火版圖恐劇烈變動
-力晶合肥12寸晶圓廠正式啟用！明年Q2進入量產(chǎn)逐步拉升產(chǎn)能
晶合總經(jīng)理黎湘鄂指出，晶合在力晶支持下建置完整的晶圓廠生產(chǎn)、質(zhì)量與企業(yè)管理系統(tǒng)，并完成 5000 份各種技術(shù)文件移轉(zhuǎn)，延續(xù)力晶扎實的營運基礎(chǔ)。目前晶合總員工數(shù)約 800 人，其中以力晶為骨干招募了 250 位臺灣技術(shù)人才，而晶合與力晶彼此也互派人員支援或訓(xùn)練，為中國大陸與臺灣兩岸史上最大規(guī)模的技術(shù)交流之一。
目前晶合正進行試產(chǎn)，預(yù)計 2018 年第二季進入量產(chǎn)，月產(chǎn)能規(guī)模為 1 萬片，并按計劃逐步增加，目標(biāo) 2019 年達每月 4 萬片產(chǎn)能規(guī)模。
大陸內(nèi)存大軍再掀戰(zhàn)火 版圖恐劇烈變動 睿力單刀直入19奈米 紫光亦醞釀新布局
睿力在合肥12吋廠的建置時程超前，已完成兩層樓的廠房，2017年底搬入機臺設(shè)備，現(xiàn)已在談硅晶圓產(chǎn)能，值得注意的是，業(yè)界傳出睿力要直接切入19奈米制程發(fā)展，預(yù)計2018年2月底開始進入第一批產(chǎn)品的生產(chǎn)，業(yè)界認為此舉十分大膽。
半導(dǎo)體業(yè)者指出，面對美光仍舉著專利侵權(quán)司法大刀，未來大陸陣營自行研發(fā)的DRAM產(chǎn)品若不外銷，只在大陸境內(nèi)使用，國際大廠恐將無計可施，因為單是滿足大陸市場需求的內(nèi)存芯片，其實就已是相當(dāng)龐大的產(chǎn)能和商機。
睿力加速布局另一個考慮，就是希望搶在聯(lián)電晉華12吋廠之前，把DRAM技術(shù)做出來且進入量產(chǎn)，如此一來，合肥市政府便可望成為大陸新的科技之都，涵蓋京東方的面板廠、晶合的晶圓代工廠、睿力的DRAM廠、群聯(lián)的NAND Flash控制芯片廠等。
-晶圓代工產(chǎn)能提升 人才短缺仍是問題
中芯國際目前的先進制程與其他大廠仍有很大一段的落差，以臺灣晶圓雙雄來說，臺積電2017年第1季16/20納米制程比重已有31%，且28納米制程比重高達25%，合計40納米及其以下制程比重來到69%；聯(lián)電2017年第1季28納米及其以下制程比重已有17%，總計40納米及其以下制程比重達46%。
反觀中芯國際尚停留于28納米制程，盡管公司預(yù)期28納米制程占營收的比重將由2016年第4季的3.5%提升至2017年第4季的10.0%左右，但其多偏向中低階的28納米Ploy/SiON技術(shù)，高階28納米HKMG制程良率尚未如預(yù)期，更何況面臨聯(lián)芯28納米以高良率的表現(xiàn)持續(xù)搶食客戶訂單，使得中芯國際28納米制程產(chǎn)品被迫繼續(xù)降價，造成短期內(nèi)中芯國際28納米制程難以獲利的窘境。
-總投資70億通富微電高端封測項目落地廈門海滄
2017年6月26日下午，廈門市海滄區(qū)人民政府與通富微電子股份有限公司（以下簡稱“通富微電”）在廈門簽署了共建集成電路先進封測生產(chǎn)線（以下簡稱：項目）的戰(zhàn)略合作協(xié)議。按協(xié)議約定，項目總投資70億元，規(guī)劃建設(shè)以Bumping、WLCSP、CP、FC、SiP及三、五族化合物為主的先進封裝測試產(chǎn)業(yè)化基地，重點服務(wù)于“福、廈、漳、泉”及華南地區(qū)的區(qū)域市場和重點企業(yè)，項目分三期實施，預(yù)計2018年底前一期工程建成投產(chǎn)。
-東芝明年量產(chǎn)96層3D NAND或獨投1800億日圓增產(chǎn)
全球第 2 大 NAND 型快閃存儲器廠東芝（Toshiba）28 日宣布，攜手 SanDisk 研發(fā)出全球首款采用堆疊 96 層制程技術(shù)的 3D NAND Flash 產(chǎn)品，且已完成試樣。該款產(chǎn)品為 256Gb（32GB）、采用 3bit/cell（TLC：Triple Level Cel）技術(shù)的產(chǎn)品，預(yù)計于 2017 年下半送樣、2018 年開始進行量產(chǎn)，主要用來搶攻數(shù)據(jù)中心用 SSD、PC 用 SSD 以及智能手機、平板電腦和存儲卡等市場。
-蘋果自主GPU明年初亮相 正翻越NVIDIA/AMD兩座大山
作為科技行業(yè)的巨頭，蘋果在創(chuàng)新這方面的能力一直很強悍。而“掌握核心科技”不僅僅是一句口號，更關(guān)乎命運，比如對于手機廠商而言，沒有核心技術(shù)不客氣滴說就只是個組裝廠，因此無論高通、三星、蘋果，還是華為、都在全力研發(fā)自己的處理器。蘋果在這方面無疑是相當(dāng)優(yōu)秀的，自主設(shè)計的CPU不但總是能用上最新架構(gòu)和技術(shù)，性能也一直卓爾不群。
但是，自主GPU相比于自主CPU的難度可大多了。舉個簡單的例子：三星Exynos處理器里邊的自主CPU早已名揚天下，和高通驍龍平起平坐，但三星搞了好多年了，一直沒能搞定自己的GPU。
NVIDIA、AMD是圖形行業(yè)的兩大巨頭，雖然進軍移動領(lǐng)域很不順利，但手中握有無數(shù)的圖形技術(shù)專利，無論誰涉足GPU都繞不開他們倆。@i冰宇宙 也在和網(wǎng)友的互動中透露，蘋果自主GPU已經(jīng)設(shè)計好了架構(gòu)，目前最要緊的就是把專利授權(quán)談下來，這么看只要能盡快搞定NVIDIA、AMD，很快就能投入實用，
-博世投資10億歐元 在德建無人駕駛車芯片工廠
據(jù)美國媒體6月20日消息，汽車零部件供應(yīng)商羅伯特博世有限公司將建造一家10億歐元(約76億人民幣)的半導(dǎo)體工廠，這是其歷史上金額最大的單筆投資，用于滿足未來可能出現(xiàn)的自動駕駛汽車部件的大量需求。
-揭密英特爾Optane 3D XPoint存儲器采用了哪些創(chuàng)新技術(shù)？
美光(Micron) 32L 3D FG CuA TLC NAND的每顆晶粒存儲器密度為2.28Gb/mm2，三星(Samsung) 48L TLC V-NAND為2.57Gb/mm2，東芝(Toshiba)/WD 48L BiCS TLC NAND為2.43Gb/mm2，而海力士(SK Hynix)36L P-BiCS MLC NAND則為1.45Gb/mm2。相形之下，英特爾的Optane XPoint的存儲器密度為0.62Gb/mm2。
英特爾(Intel)和美光(Micron)在2015年8月推出了3D XPoint，打造出25年以來的首款新型態(tài)存儲器技術(shù)。2016年，英特爾發(fā)布采用3D XPoint技術(shù)的Optane品牌儲存產(chǎn)品，成為該技術(shù)最先上市的新一代高性能固態(tài)硬盤(SSD)系列。
根據(jù)TechInsights的材料分析，XPoint是一種非揮發(fā)性存儲器(NVM)技術(shù)。位元儲存根據(jù)本體( bulk)電阻的變化，并結(jié)合可堆疊的跨網(wǎng)格數(shù)據(jù)存取陣列。其價格預(yù)計將會較動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)更低，但高于快閃存儲器。
TechInsights最近取得了英特爾Optane M.2 80mm 16GB PCIe 3.0并加以拆解，在封裝中發(fā)現(xiàn)了一個3D X-Point存儲器芯片。這是英特爾和美光的首款商用化3D Xpoint產(chǎn)品。英特爾3D X-Point存儲器的封裝尺寸為241.12mm2(17.6mm x 13.7mm)，其中并包含X-Point記體晶粒。該3D X-Point晶粒尺寸為mm2(16.6mm x 12.78mm)。
相較于DRAM產(chǎn)品，3D Xpoint的存儲器密度較同樣采用20nm技術(shù)的DRAM產(chǎn)品更高4.5倍，也比三星的1xnm DDR4高出3.3倍。Xpoint存儲器產(chǎn)品采用20nm技術(shù)節(jié)點，實現(xiàn)0.00176μm2的單元尺寸，這相當(dāng)于DRAM單元大小的一半。這是因為可堆疊的存儲器單元，以及4F2取代6F2用于存儲器單元陣列設(shè)計。
-2016全球工業(yè)半導(dǎo)體制造商排名
-內(nèi)存強盛CPU式微 三星扶搖直上有望成全球頭號芯片生產(chǎn)商
據(jù)美國半導(dǎo)體市場調(diào)研機構(gòu)IC insights的數(shù)據(jù)分析，三星在2017年第二季度的芯片銷售額估計會達到149億美元，超過英特爾的銷售額估值144億美元。如果成真，這對三星而言將是“一個里程碑式的成就”。
英國《金融時報》也分析認為，如果內(nèi)存芯片的價格在下半年不出現(xiàn)大幅度波動，三星全年的銷售額將高于英特爾，成為全球頭號芯片生產(chǎn)商。《金融時報》預(yù)估三星2017年的芯片銷售總額為636億美元，英特爾為605億美元。
2017-07-03 來源：與非網(wǎng)EEFOCUS
晶合總經(jīng)理黎湘鄂指出，晶合在力晶支持下建置完整的晶圓廠生產(chǎn)、質(zhì)量與企業(yè)管理系統(tǒng)，并完成 5000 份各種技術(shù)文件移轉(zhuǎn)，延續(xù)力晶扎實的營運基礎(chǔ)。目前晶合總員工數(shù)約 800 人，其中以力晶為骨干招募了 250 位臺灣技術(shù)人才，而晶合與力晶彼此也互派人員支援或訓(xùn)練，為中國大陸與臺灣兩岸史上最大規(guī)模的技術(shù)交流之一。
目前晶合正進行試產(chǎn)，預(yù)計 2018 年第二季進入量產(chǎn)，月產(chǎn)能規(guī)模為 1 萬片，并按計劃逐步增加，目標(biāo) 2019 年達每月 4 萬片產(chǎn)能規(guī)模。
大陸內(nèi)存大軍再掀戰(zhàn)火 版圖恐劇烈變動 睿力單刀直入19奈米 紫光亦醞釀新布局
睿力在合肥12吋廠的建置時程超前，已完成兩層樓的廠房，2017年底搬入機臺設(shè)備，現(xiàn)已在談硅晶圓產(chǎn)能，值得注意的是，業(yè)界傳出睿力要直接切入19奈米制程發(fā)展，預(yù)計2018年2月底開始進入第一批產(chǎn)品的生產(chǎn)，業(yè)界認為此舉十分大膽。
半導(dǎo)體業(yè)者指出，面對美光仍舉著專利侵權(quán)司法大刀，未來大陸陣營自行研發(fā)的DRAM產(chǎn)品若不外銷，只在大陸境內(nèi)使用，國際大廠恐將無計可施，因為單是滿足大陸市場需求的內(nèi)存芯片，其實就已是相當(dāng)龐大的產(chǎn)能和商機。
睿力加速布局另一個考慮，就是希望搶在聯(lián)電晉華12吋廠之前，把DRAM技術(shù)做出來且進入量產(chǎn)，如此一來，合肥市政府便可望成為大陸新的科技之都，涵蓋京東方的面板廠、晶合的晶圓代工廠、睿力的DRAM廠、群聯(lián)的NAND Flash控制芯片廠等。
-晶圓代工產(chǎn)能提升 人才短缺仍是問題
中芯國際目前的先進制程與其他大廠仍有很大一段的落差，以臺灣晶圓雙雄來說，臺積電2017年第1季16/20納米制程比重已有31%，且28納米制程比重高達25%，合計40納米及其以下制程比重來到69%；聯(lián)電2017年第1季28納米及其以下制程比重已有17%，總計40納米及其以下制程比重達46%。
反觀中芯國際尚停留于28納米制程，盡管公司預(yù)期28納米制程占營收的比重將由2016年第4季的3.5%提升至2017年第4季的10.0%左右，但其多偏向中低階的28納米Ploy/SiON技術(shù)，高階28納米HKMG制程良率尚未如預(yù)期，更何況面臨聯(lián)芯28納米以高良率的表現(xiàn)持續(xù)搶食客戶訂單，使得中芯國際28納米制程產(chǎn)品被迫繼續(xù)降價，造成短期內(nèi)中芯國際28納米制程難以獲利的窘境。
-總投資70億通富微電高端封測項目落地廈門海滄
2017年6月26日下午，廈門市海滄區(qū)人民政府與通富微電子股份有限公司（以下簡稱“通富微電”）在廈門簽署了共建集成電路先進封測生產(chǎn)線（以下簡稱：項目）的戰(zhàn)略合作協(xié)議。按協(xié)議約定，項目總投資70億元，規(guī)劃建設(shè)以Bumping、WLCSP、CP、FC、SiP及三、五族化合物為主的先進封裝測試產(chǎn)業(yè)化基地，重點服務(wù)于“福、廈、漳、泉”及華南地區(qū)的區(qū)域市場和重點企業(yè)，項目分三期實施，預(yù)計2018年底前一期工程建成投產(chǎn)。
-東芝明年量產(chǎn)96層3D NAND或獨投1800億日圓增產(chǎn)
全球第 2 大 NAND 型快閃存儲器廠東芝（Toshiba）28 日宣布，攜手 SanDisk 研發(fā)出全球首款采用堆疊 96 層制程技術(shù)的 3D NAND Flash 產(chǎn)品，且已完成試樣。該款產(chǎn)品為 256Gb（32GB）、采用 3bit/cell（TLC：Triple Level Cel）技術(shù)的產(chǎn)品，預(yù)計于 2017 年下半送樣、2018 年開始進行量產(chǎn)，主要用來搶攻數(shù)據(jù)中心用 SSD、PC 用 SSD 以及智能手機、平板電腦和存儲卡等市場。
-蘋果自主GPU明年初亮相 正翻越NVIDIA/AMD兩座大山
作為科技行業(yè)的巨頭，蘋果在創(chuàng)新這方面的能力一直很強悍。而“掌握核心科技”不僅僅是一句口號，更關(guān)乎命運，比如對于手機廠商而言，沒有核心技術(shù)不客氣滴說就只是個組裝廠，因此無論高通、三星、蘋果，還是華為、都在全力研發(fā)自己的處理器。蘋果在這方面無疑是相當(dāng)優(yōu)秀的，自主設(shè)計的CPU不但總是能用上最新架構(gòu)和技術(shù)，性能也一直卓爾不群。
但是，自主GPU相比于自主CPU的難度可大多了。舉個簡單的例子：三星Exynos處理器里邊的自主CPU早已名揚天下，和高通驍龍平起平坐，但三星搞了好多年了，一直沒能搞定自己的GPU。
NVIDIA、AMD是圖形行業(yè)的兩大巨頭，雖然進軍移動領(lǐng)域很不順利，但手中握有無數(shù)的圖形技術(shù)專利，無論誰涉足GPU都繞不開他們倆。@i冰宇宙 也在和網(wǎng)友的互動中透露，蘋果自主GPU已經(jīng)設(shè)計好了架構(gòu)，目前最要緊的就是把專利授權(quán)談下來，這么看只要能盡快搞定NVIDIA、AMD，很快就能投入實用，
-博世投資10億歐元 在德建無人駕駛車芯片工廠
據(jù)美國媒體6月20日消息，汽車零部件供應(yīng)商羅伯特博世有限公司將建造一家10億歐元(約76億人民幣)的半導(dǎo)體工廠，這是其歷史上金額最大的單筆投資，用于滿足未來可能出現(xiàn)的自動駕駛汽車部件的大量需求。
-揭密英特爾Optane 3D XPoint存儲器采用了哪些創(chuàng)新技術(shù)？
美光(Micron) 32L 3D FG CuA TLC NAND的每顆晶粒存儲器密度為2.28Gb/mm2，三星(Samsung) 48L TLC V-NAND為2.57Gb/mm2，東芝(Toshiba)/WD 48L BiCS TLC NAND為2.43Gb/mm2，而海力士(SK Hynix)36L P-BiCS MLC NAND則為1.45Gb/mm2。相形之下，英特爾的Optane XPoint的存儲器密度為0.62Gb/mm2。
英特爾(Intel)和美光(Micron)在2015年8月推出了3D XPoint，打造出25年以來的首款新型態(tài)存儲器技術(shù)。2016年，英特爾發(fā)布采用3D XPoint技術(shù)的Optane品牌儲存產(chǎn)品，成為該技術(shù)最先上市的新一代高性能固態(tài)硬盤(SSD)系列。
根據(jù)TechInsights的材料分析，XPoint是一種非揮發(fā)性存儲器(NVM)技術(shù)。位元儲存根據(jù)本體( bulk)電阻的變化，并結(jié)合可堆疊的跨網(wǎng)格數(shù)據(jù)存取陣列。其價格預(yù)計將會較動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)更低，但高于快閃存儲器。
TechInsights最近取得了英特爾Optane M.2 80mm 16GB PCIe 3.0并加以拆解，在封裝中發(fā)現(xiàn)了一個3D X-Point存儲器芯片。這是英特爾和美光的首款商用化3D Xpoint產(chǎn)品。英特爾3D X-Point存儲器的封裝尺寸為241.12mm2(17.6mm x 13.7mm)，其中并包含X-Point記體晶粒。該3D X-Point晶粒尺寸為mm2(16.6mm x 12.78mm)。
相較于DRAM產(chǎn)品，3D Xpoint的存儲器密度較同樣采用20nm技術(shù)的DRAM產(chǎn)品更高4.5倍，也比三星的1xnm DDR4高出3.3倍。Xpoint存儲器產(chǎn)品采用20nm技術(shù)節(jié)點，實現(xiàn)0.00176μm2的單元尺寸，這相當(dāng)于DRAM單元大小的一半。這是因為可堆疊的存儲器單元，以及4F2取代6F2用于存儲器單元陣列設(shè)計。
-2016全球工業(yè)半導(dǎo)體制造商排名
-內(nèi)存強盛CPU式微 三星扶搖直上有望成全球頭號芯片生產(chǎn)商
據(jù)美國半導(dǎo)體市場調(diào)研機構(gòu)IC insights的數(shù)據(jù)分析，三星在2017年第二季度的芯片銷售額估計會達到149億美元，超過英特爾的銷售額估值144億美元。如果成真，這對三星而言將是“一個里程碑式的成就”。
英國《金融時報》也分析認為，如果內(nèi)存芯片的價格在下半年不出現(xiàn)大幅度波動，三星全年的銷售額將高于英特爾，成為全球頭號芯片生產(chǎn)商。《金融時報》預(yù)估三星2017年的芯片銷售總額為636億美元，英特爾為605億美元。
2017-07-03 來源：與非網(wǎng)EEFOCUS
